星速优配通威微电子申请基于热气体辅助的碳化硅晶片抛光方法及应用专利，达到高移除量的研磨效果_企业

金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，通威微电子有限公司申请一项名为“一种基于热气体辅助的碳化硅晶片的抛光方法及应用”的专利，公开号CN120382432A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于热气体辅助的碳化硅晶片的抛光方法及应用，涉及半导体材料加工技术领域。抛光方法包括对碳化硅晶片的气体研磨、精研磨和化学机械抛光；气体研磨中，加热区的压缩气体经喷射区以气流的形式喷出，喷射气流携带研磨介质进入研磨区后，喷射于碳化硅晶片的待研磨面进行研磨处理。通过温度、气流和研磨介质的协同作用，实现对碳化硅晶片待研磨面的研磨，达到高移除量的研磨效果；再经过精磨、化学机械抛光，整个工艺的实施，在效率与质量间找到最佳平衡点，具有产品良率高且研磨成本低的特点，有望推动SiC在新能源、6G通信、航空航天与国防等领域的规模化应用。

天眼查资料显示，通威微电子有限公司，成立于2021年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本85000万人民币。通过天眼查大数据分析，通威微电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目14次，专利信息308条，此外企业还拥有行政许可13个。

来源：金融界

发布于：北京市

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